台积电3nm制程工艺有望本月量产 下一年产能将平稳提高

7月24日音讯，据国外媒体报导，三星电子6月30日就已在官网宣告，他们选用全盘绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开端开端出产芯片，上星期也有外媒报道称，三星电子选用3nm工艺代工的第一批芯片，已定于7月25日出货。

在三星电子的3nm工艺量产、行将出货的情ceqZJkD况下，台积电的这一制程工艺在何时量产，也就备受重视。 而外媒在报导中表明，台积电选用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构的3nm制程工艺，将在本月或之后量产，选用全盘绕栅极晶体管架构的制程工艺，将在2025年量产。

假如台积电的3nm制程工艺，真如外媒报导的那样在本月开端量产，他们在这一工艺的量产时刻方面，就只会略晚于三星，他们重要客户行将推出的硬件产品，也就有望搭载3nm制程工艺代工的芯片。 关于3nm制程工艺的量产事宜，台积电CEO魏哲家在本月14日的二季度财报分析师电话会议上，也曾提及。魏哲家其时在会上表明，他们在按方案推进3nm制程工艺，以可观的良品率鄙人半年量产。 在此前的财报分析师电话会议上，魏哲家曾多次谈到，同5nm工艺比较，3nm工艺能使晶体管的逻辑密度提高70%，芯片的新能提高15%，能耗下降30%。 在本月14日的财报分析师电话会议上，魏哲家还泄漏，他们估计3nm工艺在下一年上半年开端带来营收，在高性能核算产品和智能手机使用产品的推进下，产能在2023年也将平稳提高。