3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势待发：3年后量产
在6月最终一天，三星宣告3nm工艺正式量产，这一次三星总算抢先台积电首先量产新一代工艺，并且是弯道超车，后者的3nm本年下半年才会量产。
依据三星官方介绍，在3nm芯片上，其抛弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改进了芯片的功耗体现。
与5nm比较，新开发的3nm GAE工艺能够下降45%的功耗，削减16%的面积，并寂寥进步23%的功能。
第二代的3nm GAP工艺能够下降50%的功耗，进步30%的功能，寂寥面积削减35%，作用更好。
再往后呢？三星也有了方案，3nm GAP工艺之后就会迎来2nm GAP工艺，也是根据纳米片技能的GAA晶体管，可是结构进一步优化，从3个纳米片进步到4个，能够进步驱动电流，寂寥还会优化堆叠结构以进步功能，下降功耗。
2nm GAP工艺的量产时刻也定了，估计在2025年量产，时刻点跟台积电量产2nm工艺差不多，并且很可能在技能上抢先后者，由于台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，进步只要10%。
本文由幽冥于2022-07-08发表在悠哉头条，如有疑问，请联系我们。
本文链接：//www.yz0417.com/html/42178.html
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